Otto partner accademici, industriali e di ricerca di sei paesi
Nanoelettronica: Udine capofila di un progetto europeo finanziato con 2,9 milioni di euro
Obiettivo: un nuovo sistema di progettazione di transistor di ultima
generazione per rendere più competitive le industrie europee
dell’elettronica
L’Università di Udine, nell’ambito del Consorzio nazionale interuniversitario per la nanoelettronica (IUNET), è capofila di un progetto di ricerca europeo triennale nel settore delle nanotecnologie elettroniche finanziato con 2,9 milioni di euro dalla Commissione europea. Obiettivo del progetto è realizzare un sistema di progettazione veloce ed efficace dei transistor a basso consumo energetico di nuova generazione, che nei prossimi anni sostituiranno, in parte, i tradizionali transistor al silicio. Il risultato della ricerca sarà messo a disposizione dell’industria europea per renderla più competitiva sul mercato mondiale delle tecnologie nanoelettroniche e dei semiconduttori. Grazie al nuovo sistema, obiettivo del progetto, si ridurranno i tempi di progettazione e i costi di sviluppo ed entrata in produzione dei nuovi dispositivi destinati all’elettronica ad alte prestazioni.
La ricerca coinvolge un team multidisciplinare di sei paesi europei (Belgio, Danimarca, Francia, Germania, Italia, Svizzera) e otto partner fra cui università, istituti di ricerca e laboratori industriali. Responsabile scientifico del progetto, intitolato "Technology CAD for III-V Semiconductor based MOSFETs – III-V MOS" (http://www.iii-v-mos-project.eu), è Luca Selmi, professore di Elettronica dell’Ateneo friulano.
Il nuovo sistema di progettazione riguarda transistor basati su composti di arsenico, gallio e altri elementi (i cosiddetti materiali III –V), che prenderanno gradualmente il posto di quelli al silicio perché più efficienti dal punto di vista energetico.
L’Ateneo friulano sarà impegnato con il gruppo di ricerca di nanoelettronica del Dipartimento di Ingegneria elettrica gestionale e meccanica. Il team udinese svilupperà nuovi modelli di simulazione e valuterà le prestazioni dei transistori con dimensioni inferiori a 10 miliardesimi di metro, realizzati con questi nuovi materiali.
Tra i partner accademici del progetto figurano anche le università di Bologna e di Modena-Reggio Emilia, appartenenti al consorzio IUNET (http://www.iunet.eu/), e il Politecnico di Zurigo. Fanno inoltre parte del partenariato il laboratorio dell’IBM di Zurigo; il centro di ricerca belga IMEC; l’istituto francese Sinano e aziende quali la svizzera Synopsys, la danese QuantumWise e la tedesca Globalfoundries, principale fonderia di silicio europea.
«Questo progetto – spiega Selmi – interviene in un campo strategico per la società contemporanea e futura quale quello della nanoelettronica, un insieme di tecnologie con un impatto profondo su tutti gli aspetti della nostra vita quotidiana, in particolare nelle comunicazioni, nell’informatica, nell’elettronica di consumo, nella sanità, nei trasporti e in campo ambientale».
New Computer Aided Design solutions to reduce cost and time to market of high performance energy efficient nanoelectronic technology
Udine/Italy, Thursday, January 9th 2014
Enabling fast and effective design of new transistors for high performance electronics with greatly reduced power consumption. This is the ambitious objective that a unique multidisciplinary team of scientists and engineers from five European countries and eight Research institutions, Universities and industrial R&D labs will pursue in the next three years under the leadership of the Italian university consortium for nanoelectronics, IUNET, in the framework of the EC funded project III-V-MOS "Technology CAD for III-V Semiconductor-based MOSFETs".
Nanoelectronics is recognized as a key enabling technology with profound impact on all aspects of our daily life, in particular in the fields of communication, computing, consumer electronics, health, transport, environment and secure societies. To sustain the progress of high-performance energy-efficient nanoelectronics, a new scenario is currently pursued by the industry worldwide where innovative devices based on so called III-V compound semiconductor materials will replace in part conventional silicon transistors. The integration of III-V devices into silicon platforms may reach production as early as 2018 but, for this scenario to become reality, accurate technology computer aided design (TCAD) tools will be necessary. In fact nanoelectronics relies on intensive use of TCAD to cut development costs and significantly reduce time to market.
The III-V-MOS project consortium addresses this need for advanced TCAD and will provide the European Semiconductor Industry and the European nanoelectronics research centers with dependable, accurate and calibrated models and methods, integrated into user friendly simulation tools, for timely and successful introduction of the new III-V devices in mainstream nanoelectronics technology.
The project builds upon the strong modeling and simulation expertise of European academic partner institutions (IUNET consortium and ETH-Zurich). Future exploitation and high impact of the project results are guaranteed by the TCAD market leader (Synopsys); by a SME specialized in the growing business of atomistic simulations for technology development (QuantumWise - Denmark); by a research center (IMEC - Belgium) and an industry lab (IBM Research - Zurich) and by the European silicon foundry GLOBALFOUNDRIES Dresden. The French SINANO Institute will set up effective strategies for dissemination of project results and completes the partners list.
The FP7 Programme. FP7 is the short name for the Seventh Framework Programme for Research and Technological Development. This is the EU's main instrument for funding research in Europe beginning in 2007. The III-V-MOS is a Collaborative Project selected during the last Call of FP7.
The III-V-MOS consortium partners
Academic institutions
- Consorzio Nazionale Interuniversitario per la Nanoelettronica IUNET (Italy – project coordinator)
- Eidgenoessische Technische Hochschule, ETH Zurich (Switzerland),
- Interuniversitair Micro-Electronica Centrum VZW (Belgium)
- SiNANO Institute (France)
Industrial Organization
- IBM Research GmbH (Switzerland)
- QuantumWise A/S (Denmark)
- GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG (Germany)
Project coordinator: IUNET.
Pr. Luca Selmi, Scientific Coordinator
Email: luca.selmi@uniud.it
